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高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可Z大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等

產(chǎn)品型號(hào):

更新時(shí)間:2024-08-19

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:1549

服務(wù)熱線

400 0889 890

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產(chǎn)品介紹

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐

高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度,晶體生長腔可zui大壓力可達(dá)300Bar,甚以及10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。

豎直雙鏡設(shè)計(jì),采用高照度短弧氙燈
       熔區(qū)溫度:zui高>3000℃
       熔區(qū)壓力:10-5 mbar 至 300 bar
       多路獨(dú)立氣體流量和氣壓控制

       豐富的可升級(jí)選件

耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、    由德國弗勞恩霍夫應(yīng)用光學(xué)和精密工程研究所優(yōu)化設(shè)計(jì)的高反射 拆裝簡(jiǎn)便、帶樣品污染保護(hù)的石英樣品腔   率鏡面,鏡體位置和角度可由高精度步進(jìn)馬達(dá)控制調(diào)節(jié)

 

主要技術(shù)參數(shù):
  

熔區(qū)溫度

zui高2000 - 3000℃以上

熔區(qū)壓力

zui大10、50100、150300 bar可選

熔區(qū)真空

1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可選

熔區(qū)氣氛

Ar、O2、N2等可選

氣體流量

0.25 – 1 L/min流量可控

氙燈功率

3kW 至 15kW可選

料棒臺(tái)尺寸

6.8mm 或 9.8mm可選

拉伸速率

0.1-200 mm/h

調(diào)節(jié)速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

zui大195mm

旋轉(zhuǎn)速率

0-150 rpm

用電功率

400V三相 63A 50Hz

水冷功率

大于8kW

主機(jī)尺寸

302cm*163cm*92cm

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